实验内容：(1)测量PN结扩散电流与节电压之间的关系,(2)玻尔兹曼常数的测量
电流测量10-6—10-8A,分辨率10-9A
测量误差小于2﹪
温控范围：50℃--120℃，任意设定，三位半数显，5.恒温稳定度：±0.1℃，测温精度：±0.1℃

电阻元件V-A特性测量仪

实验内容：电阻元件的V-A特性的测量
电流测量范围：0-199.9mA ,0-1.999mA三位半数显
电压测量范围：0--1.999V, 0--19.99V三位半数显
工作电源：8--20V

I硅光电池基本特性实验仪

实验内容: (1) 了解硅光电池的基本结构及基本原理；(2)研究硅光电池伏安特性、硅光电池短路电流与开路电压、相对强度的关系
硅光电池
半导体光源，暗箱
电压测量范围：0-1.999V, 0-19.99V, 三位半数显
电流测量范围：0-1.999mA, 0-19.99A, 三位半数显
负载电阻：0-9999Ω
光强测量范围:0-1900LUX